Groß und flach - neuartiger Zinnelektrolyt für minimales Whiskerrisiko bei bester Lötbarkeit
Die bleifreie Beschichtung von Elektronikteilen zur Erzeugung einer lötfähigen Oberfläche macht den Einsatz von Zinn erforderlich. Mit einem neuen Mattzinnelektrolyten zur Abscheidung von Reinzinn auf Basis von Methansulfonsäure lassen sich homogene Zinnschichten abscheiden, die eine geringe Rauheit und ein geringes Risiko zur Bildung von Whiskern aufweisen. Die Wirkung der eingesetzten Zusätze auf das Kristallgefüge und die Spannungen in der Schichtkombination, die für die Whiskerbildung ursächlich sind, wird mit verschiedenen Verfahren aufgezeigt. So entsteht mit dem neuen Elektrolyten ein regelmäßiges Gefüge aus großen Körnern mit senkrechten Korngrenzen. Die intermetallischen Phasen bilden sich vorwiegend an der Grenzschicht zwischen Kupfer und Zinn. Durch die verringerte Rauheit sinkt die Neigung zur Oxidbildung, wodurch sich das Lötverhalten verbessert.
Galvanotechnik, 100 (2009)8, S. 1745-1754, 14 Abb., 7 Tab., 31 Lit.-Hinw. Kurtz, O.; Barthelmes, J.; Kühlkamp, P.; Rüther, R.
Large and Flat - a Novel Tin Electrolyte with Minimal Risk of Whiskering, and Good Solderability
Application of a solderable lead-free coating on electronic components mandates the use of tin. Using a newly-developed methanesulphonic acid matt tin electrolyte, a homogeneous pure tin deposit, with low roughness, is formed, with minimal risk of subsequent whisker formation. The functioning of various additives on crystal structure and internal stress in multilayer systems, two factors which largely determine whisker formation, is set out for various processes. Thanks to these, the new electrolyte provides a uniform structure with large grain size and vertical grain boundaries. Intermetallic phases form predominantly at the copper-tin grain boundaries. The lower surface roughness minimises a tendency to oxide formation which improves solder wetting.
Galvanotechnik, 100 (2009)8, S. 1745-1754, 14 Abb., 7 Tab., 31 Lit.-Hinw. Kurtz, O.; Barthelmes, J.; Kühlkamp, P.; Rüther, R.
