Mit einem neu entwickelten Plasmaverfahren kann SU-8-Resist zur Herstellung von Mikrostrukturen effizient entfernt werden. Die Ätzrate liegt bei diesem Verfahren bei 20 Mikrometer pro Minute, wobei Resistdicken bis über einen Millimeter entfernt werden können. Zu den Vorteilen des Verfahrens zählen, dass Strukturen aus Metall (Nickel, Nickel-Eisen, Gold, Kupfer) nicht geschädigt werden und der Angriff bei Silizium vernachlässigbar gering ist. Das Verfahren trägt wesentlich zu einer wirtschaftlichen Fertigung von Mikrostrukturen unter Einsatz von SU-8 bei.
Using a newly-developed plasma process, SU-8 resist for creating microstructures can be efficiently stripped. The removal rate for this process is around 20 µm/min, allowing resist thicknesses of several millimetres to be stripped. Among the benefits of the new process is the fact that metallic structures (nickel, nickel-iron, gold, copper) are not damaged, while attack on silicon is negligibly small. The process makes a significant contribution to cost-effective microstructuring using SU-8
Silizium, Nickel, Nickel-Eisen, Gold, Kupfer
