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Verhalten organischer Verunreinigungen in elektrochemisch abgeschiedenem Kupfer während des self-annealings bei Raumtemperatur
Unter dem Begriff self-annealing versteht man die Gefügeumwandlung, die man beispielsweise bei Kupfer nach der Abscheidung beobachtet. Dabei entsteht aus einem zunächst sehr feinkörnigen Gefüge mit Korndurchmessern um 100 nm ein Grobkorngefüge im Bereich von mehreren Mikrometern. Durch mitabgeschiedene Verunreinigungen in Kupferschichten wird dieser Vorgang zunächst behindert. Die Verunreinigungen segregieren an die Oberfläche bei gleichzeitiger Relaxation der Schichtspannungen. Nachfolgend setzt eine beschleunigte Rekristallisation ein.
Galvanotechnik, 96 (2005)7, S. 1576-1579, 5 Abb., 18 Lit.-Hinw. Stangl, M.; Acker, J.; Dittel, V.; Gruner, W.; Hoffmann, V.; Oswald, St., Wetzig, K.
Behaviour of Organic Impurities in Electrodeposited Copper during Room-Temperature Self-annealing
By "self-annealing" is meant a change in structure such as that observed in copper after its electrodeposition. As formed, the deposit is very fine-grained with grain sizes in the 100 nm range and after some days or weeks, grain size increases to several microns. The presence of co-deposited organic impurities can hinder this transformation.. They accumulate at grain boundaries while releasing internal stress in the deposit. This is followed by an accelerated recrystallisation.
