Neben der bekannten und bisher vorwiegenden Technik auf Basis von Silizium zur Herstellung von Solarzellen spielt in zunehmendem Maße die Dünnschichttechnik eine Rolle. Hierbei besteht die Solarzelle zur Umwandlung von Licht in Strom unter anderem aus einer Kombination der Elemente Kupfer, Indium, Gallium und Selen. Die Funktion der Solarzelle hängt entscheidend von der richtigen Menge der Elemente zueinander ab, die Schichtweise aufgetragen werden. Die Röntgenfluoreszenz ist aufgrund der hohen möglichen Genauigkeit der Konzentrationsbestimmung in dünnen Schichten eine bevorzugte Technik für die Fertigungskontrolle. Die Möglichkeiten und Grenzen der Technik werden aufgezeigt.
Although solar cells have, up till recently, been overwhelmingly based on silicon wafer technology, new design based on thin-film technology are of growing importance. In such cells, the conversion of light to electric current is accomplished with a multilayer structure including the elements copper, indium, gallium and selenium. Optimum conversion efficiency depends on these elements being present in the various layers, in the correct proportions. X-ray fluorescence, given the high precision with which it can determine individual elements in then films, is the analytical technique of choice for process control in such applications. The scope of the method, and its limitations, are discussed.
Kupfer, Indium, Gallium, Selen
