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In situ Prozess-Visualisierung/Optimierung und Anwendung der AtomlagenabscheidungIn-Situ Process Visualisation/Optimisation and Use of Atomic Layer Deposition
Die Atomlagenabscheidung ermöglicht durch chemische Gasphasenreaktionen die wiederholte Abscheidung von atomaren Monolagen, beispielsweise aus Aluminiumoxid, auf beliebigen Substraten. Voraussetzung ist die Initiierung einer chemischen Reaktion zwischen Ausgangsstoffen innerhalb eines gewissen Temperaturbereichs, der das Substrat sowie die entstehende Schicht nicht zerstört. Die Schichtbildung ist im Prinzip unabhängig von der Geometrie und damit auch in hoher Qualität auf stark strukturierten Oberflächen mit Strukturdetail im Nanometerbereich möglich. Die Steuerung der Schichtdicke kann unter Einsatz von Schwingquarzen erfolgen und mit Hilfe entsprechender Software einfach verfolgt werden, wodurch sich gute Bedingungen für die Weiterentwicklung der Beschichtungstechnologie ergeben.
WOMag 1-2/2018 Blendinger, Felix; Metzger, Michael; Hähnel, Michael; Fleischer, Monika; Bucher, Volker
In-Situ Process Visualisation/Optimisation and Use of Atomic Layer Deposition
Atomic Layer Deposition (ALD), a process using deposition from the gas phase, allows repeated deposition of individual atomic monolayers, for example of aluminium oxide onto a wide range of substrates. A precondition for this process is the initiation of a chemical reaction between reactants within a defined range of temperatures, while not affecting the substrate or the deposited layers. Coating formation is in principle not dependent on geometric factors thus enabling high quality deposits even on strongly structured substrates down to the nanometer range. Deposit thickness can be controlled and monitored using a quartz crystal oscillator and the appropriate software, thus offering an excellent basis for further development of this deposition technology.
