Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
Die vorliegende Erfindung liefert eine Oberflächenbehandlungsvorrichtung, die eine Oberfläche mit hoher Geschwindigkeit und hoher Qualität behandeln kann. Ein Gehäuse einer Oberflächenbehandlungsvorrichtung ist in zwei Kammern definiert, eine Plasmaerzeugungskammer, die mit einer Plasmaerzeugungselektrode versehen ist, und eine Substratbehandlungskammer, die mit einem Substratträgertisch versehen ist. Eine Plasmadüse ist an der Anodenelektrode ausgebildet, die eine Trennwand für die beiden Kammern bildet. Eine Aussparung ist an einer oberen Kathodenelektrode ausgebildet. Ferner wird die Plasmadüse als ein Erzeugungsbereich für eine Hohlanodenentladung und die Aussparung als ein Erzeugungsbereich für eine Hohlkathodenentladung eingesetzt.
PS 100 60 002.6 - C23C 16/50. AT 02.12.2000; OT 12.07.2001; PT 28.01.2016. Anm.: Komatsu Ltd., Tokyo, JP. Erf.: Tabuchi, Toshihiro, Hiratsuka, Kanagawa, JP Ishida, Kouchi, Hiratsuka, Kanagawa, JP Mizukami, Hiroyuki, Hiratsuka, Kanagawa, JP Takashiri, Masayuki, Hiratsuka, Kanagawa, JP