Plasma unterstütztes Abscheideverfahren, Halbleitervorrichtung und Abscheidevorrichtung
Beschreibung: Die Erfindung betrifft ein Plasma unterstütztes Abscheideverfahren einer Materialschicht, eine Halbleitervorrichtung und eine Abscheidevorrichtung. Bei dem Plasma unterstützten Abscheideverfahren der Materialschicht werden ein erster Ausgangsstoff und ein zweiter Ausgangsstoff gasförmig in eine Reaktionskammer eingeleitet und nehmen an einer chemischen Abscheidereaktion teil, durch die auf einem Oberflächenbereich eines in der Reaktionskammer angeordneten Substrates die Materialschicht deponiert wird, wobei die Einleitung des ersten Ausgangsstoffes und/oder eine Bewegung des Substrates derart vorgenommen wird, dass die Konzentration des ersten Ausgangsstoffes in einem Umgebungsraum oberhalb des Oberflächenbereiches impulsförmig variiert wird und in dem Umgebungsraum zumindest teilweise eine chemische Gasphasenreaktion des ersten Ausgangsstoffes mit einem Reaktionspartner abläuft, und wobei der zweite Ausgangsstoff mittels einer Plasmaentladung für eine chemische Reaktion mit dem ersten Ausgangsstoff aktiviert wird.
PS 10 2009 026 249.0 – C23C 16/455. AT 24.07.2009; OT 03.02.2011; PT 15.11.2012. Anm.: Q-Cells SE, 06766 Wolfen, DE. Erf.: Robert Seguin, 10625 Berlin, DE, Wilhelmus Mathijs Marie Kessels, Tilburg, NL, Gijs Dingemans, Tilburg, NL, Peter Engelhart, 31785 Hameln, DE, Bernd Hintze, 01465 Langebrück, DE, Mauritius Cornelius Maria van de Sanden, Tilburg, NL.