Verfahren zur Bildung einer Dünnschicht und Vorrichtung zur Bildung einer Dünnschicht

WP 60 2012 017 929.5 - C23C 14/35. AT 20.09.2012; OT 28.03.2013; PT 27.04.2016. Anm.: Shibaura Institute of Technology, Tokyo, JP. Erf.: Aizawa, Tatsuhiko, Tokyo 1358548, JP Morita, Hiroshi, Tokyo 1440045, JP Kurosumi, Shuichi, Tokyo 1358548, JP

Login

• Password vergessen

Noch kein Login?
Jetzt Abonnement abschließen und Zugriff auf Wissensdatenbanken und Premium-Inhalte erhalten.

Sie sind bereits registriert?
Als Benutzernamen verwenden Sie bitte Ihre E-Mail Adresse. Ihr Kennwort aus dem früheren WOMag-Online-Portal ist nicht mehr gültig. Bitte nutzen Sie die PASSWORT VERGESSEN Funktion damit Sie ein neues Passwort setzen können.

Verwandte Artikel

Weitere Unternehmen in der Prozesskette

Verwandte Normen

Verwandte Patente

• Verfahren zum zum Beschichten eines Substrates innerhalb einer Vakuumkammer mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfaabscheidung

• Elektropoliervorrichtung und Verfahren für medizinische Implantate

• Verfahren zur Herstellung eines Verbundwerkstoffes, der somit hergestellte Werkstoff und seine Anwendungen

• Anlage zum nasschemischen Abschneiden von Nickelschichten

• Korrosionsschutzvorrichtung

• Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle optischer Charakteristika von dünnen Filmen bei einem Abscheidungsverfahren

• Nano-Mehrschichtfilm

• Verfahren zur Behandlung eines Substrats zwecks Korrosionsschutz und Anlage zur Entgasung des dabei verwendeten flüssigen Prozessmediums

• Geschichtete Wärmesperrenbeschichtung mit Mischübergang sowie Anwendungsverfahren

• Verfahren zur Bildung einer Aluminium- und Zirkoniumhaltigen Schutzbeschichtung auf einem Metall

Links zu diesem Artikel

Werbepartner