Verfahren zur Bildung einer Siliziumkarbid-Dünnschicht

WP 60 2011 025 392.1 - C23C 14/34. AT 02.08.2011; OT 07.02.2013; PT 13.04.2016. Anm.: Shincron Co. Ltd., Yokohama-shi, Kanagawa, JP. Erf.: Sugawara, Takuya, Yokohama-shi Kanagawa 220-8680, JP Aoshima, Hikaru, Yokohama-shi Kanagawa 220-8680, JP Jiang, Yousong, Yokohama-shi Kanagawa 220-8680, JP Shiono, Ichiro, Yokohama-shi Kanagawa 220-8680, JP Nagae, Ekishu, Yokohama-shi Kanagawa 220-8680, JP

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